【媒體界】7月12日消息，三星電子的半導體代工業務近期取得重大突破，他們成功提高了4納米工藝的良率，目前已超過75%。這一消息引發了業界對于三星擴大半導體代工客戶的猜測。根據Hi Investment & Securities研究員樸相佑的報告，在這一進展之下，高通和英偉達再次與三星電子合作的可能性也大大增加。
三星電子的代工廠曾經面臨產品上市延遲和10納米以下工藝良率提升緩慢的挑戰，導致許多主要客戶轉向了臺積電。去年，臺積電的資本支出和產能分別是三星電子代工業務的3.4倍和3.3倍，使得臺積電在7納米以下先進工藝方面的市場占有率達到了驚人的90%，進一步拉大了兩公司之間的差距。
然而，據媒體界了解，隨著三星電子今年4納米工藝成品率超過75%，3納米工藝成品率超過60%，以及臺積電漲價的影響，業界普遍認為三星有望奪回被臺積電搶走的客戶。此外，之前高通和英偉達等多家客戶也表示有必要將其外包生產進行多元化。
根據三星代工在SFF 2023上公布的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在2025年推出2納米級的SF2工藝，并在2027年推出1.4納米級的SF1.4工藝。與此同時，該公司還公布了SF2工藝的一些特性。三星不僅致力于擴大技術供應，還計劃增加韓國平澤和美國得州泰勒市的產能。
三星計劃于2023年下半年在其平澤P3線開始量產芯片，而泰勒市新建廠房預計將于今年年底完工，并在2024年下半年開始運營。三星的目標是到2027年將其潔凈室容量比2021年增加7.3倍，以滿足日益增長的半導體市場需求。這一系列計劃顯示出三星電子在半導體領域的雄心壯志，他們希望通過技術升級和產能擴張來重新奪回市場份額，與臺積電展開激烈競爭。
