存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷新一輪價(jià)格波動(dòng)，通用DRAM與NAND閃存兩大核心產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)攀升。根據(jù)最新市場(chǎng)研究報(bào)告，2026年第一季度通用DRAM合約價(jià)格環(huán)比漲幅達(dá)93%至98%，NAND閃存合約價(jià)格則上漲85%至90%，這一數(shù)據(jù)遠(yuǎn)超此前市場(chǎng)預(yù)期的80%漲幅。

報(bào)告指出，DRAM價(jià)格飆升主要源于供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)調(diào)整。盡管部分消費(fèi)電子市場(chǎng)需求出現(xiàn)疲軟跡象，但供應(yīng)商持續(xù)將產(chǎn)能向服務(wù)器領(lǐng)域傾斜，導(dǎo)致整體供應(yīng)持續(xù)緊張。這種供需失衡狀態(tài)直接推高了市場(chǎng)價(jià)格，形成"結(jié)構(gòu)性短缺"格局。值得關(guān)注的是，服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高帶寬內(nèi)存的需求仍在快速增長(zhǎng)，進(jìn)一步加劇了供應(yīng)壓力。

NAND閃存市場(chǎng)呈現(xiàn)差異化走勢(shì)。消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品因價(jià)格壓力導(dǎo)致需求收縮，但企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁。供應(yīng)商將超過(guò)60%的新增產(chǎn)能投入數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，滿足AI訓(xùn)練與推理產(chǎn)生的海量存儲(chǔ)需求。這種產(chǎn)能轉(zhuǎn)移策略使得企業(yè)級(jí)產(chǎn)品價(jià)格保持堅(jiān)挺，而消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品價(jià)格漲幅相對(duì)溫和。

對(duì)于第二季度走勢(shì)，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)通用DRAM價(jià)格將繼續(xù)上漲58%至63%，NAND閃存漲幅達(dá)70%至75%。這種持續(xù)上漲態(tài)勢(shì)主要受三大因素驅(qū)動(dòng)：服務(wù)器廠商持續(xù)補(bǔ)庫(kù)存、AI算力集群建設(shè)加速、以及全球數(shù)據(jù)中心擴(kuò)容計(jì)劃。盡管部分終端廠商開(kāi)始尋求替代方案，但短期內(nèi)難以改變供應(yīng)緊張局面。

行業(yè)觀察人士指出，本輪價(jià)格上漲周期可能延續(xù)至2026年底。三大存儲(chǔ)原廠已明確表示，2026年資本支出將聚焦先進(jìn)制程研發(fā)與高端產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)，傳統(tǒng)消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃持續(xù)推遲。這種戰(zhàn)略調(diào)整將進(jìn)一步改變市場(chǎng)供需格局，推動(dòng)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入新的價(jià)格周期。