【媒體界】10月19日消息，韓國媒體BusinessKorea報道稱，三星電子已正式宣布其最新的第五代高帶寬內存(HBM3E)產品將被命名為“Shinebolt”。
據了解，三星電子已經開始向其客戶提供“Shinebolt”的樣品，以供進行質量測試。這些樣品的規格為8層24GB，而三星還計劃很快完成12層36GB產品的開發。
“Shinebolt”的最大數據傳輸速度，也就是帶寬，比前一代HBM3高出50%，達到了1.228TB/s。盡管在內存領域的研發和生產速度在某種程度上落后于SK海力士，但三星電子仍計劃重新奪回領先地位。
HBM內存的關鍵在于每一層之間的連接方式。三星電子一直采用熱壓縮非導電薄膜(TC-NCF)工藝，而SK海力士則使用質量回流成型底部填充(MR-MUF)工藝。市場對于哪種工藝更優越仍有待評判。
鑒于在HBM內存的研發和生產速度方面已經落后于SK海力士，三星電子也正在重新制定戰略，以奪回市場地位。目前，三星電子正在考慮加速開發HBM的“混合連接”工藝，以“改變游戲規則”。
此外，三星內存業務總裁李正培早前表示：“我們目前正在生產HBM3，順利開發下一代產品HBM3E，我們將進一步擴大HBM內存的生產，以滿足客戶需求。”
