摩根大通近日發(fā)布的一份深度研究報告引發(fā)市場高度關(guān)注，該機構(gòu)通過多維度分析指出，全球頭部存儲芯片制造商正迎來前所未有的發(fā)展機遇。基于對行業(yè)周期、供需格局及技術(shù)演進的系統(tǒng)性研究，報告預(yù)測到2027年頭部企業(yè)合計市值有望突破1.5萬億美元，較當前水平存在超50%的上行空間。

報告特別強調(diào)當前存儲行業(yè)正處于"雙軌制"定價階段。在企業(yè)級市場，AI算力需求呈現(xiàn)指數(shù)級增長，CSP廠商與特定消費電子品牌為爭奪資源展開激烈競爭，推動B2B領(lǐng)域價格持續(xù)走強。與之形成對比的是，消費級市場因終端需求疲軟面臨周期性壓力，但服務(wù)器端需求的爆發(fā)式增長已完全對沖消費端下行風(fēng)險。摩根大通數(shù)據(jù)顯示，AI推理對內(nèi)存的消耗量是訓(xùn)練階段的3倍，這種結(jié)構(gòu)性需求將成為支撐價格的核心動力。

在供需關(guān)系分析中，研究團隊通過構(gòu)建"產(chǎn)能-位元"動態(tài)模型，對市場普遍擔憂的2027年產(chǎn)能過剩論調(diào)提出反駁。模型顯示，盡管晶圓廠建設(shè)加速，但HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能擠占效應(yīng)顯著，其占DRAM總產(chǎn)能的比例將從2025年的19%躍升至2027年的28%。更關(guān)鍵的是，受潔凈室空間限制和工藝復(fù)雜度提升影響，2026年常規(guī)DRAM產(chǎn)能預(yù)計同比下降，即便2027年有三星P4、海力士M15X等新項目投產(chǎn)，位元出貨量增長仍將控制在20%以內(nèi)，導(dǎo)致供需缺口持續(xù)存在。

價格走勢預(yù)測方面，摩根大通給出明確量化指標：2026財年DRAM平均售價（ASP）將暴漲53%，NAND Flash漲幅約30%；2027財年DRAM價格在高位盤整后仍有1%微漲，NAND則小幅回調(diào)6%。這種分化格局背后，是AI驅(qū)動的B2B市場與成本敏感型B2C市場的深度割裂。報告特別指出，Google Gemini 3.0引發(fā)的GPU與ASIC路線之爭，反而為HBM需求創(chuàng)造雙重利好，預(yù)計2027年HBM供需缺口將維持在8%-12%的高位。

企業(yè)級SSD（eSSD）市場同樣迎來結(jié)構(gòu)性機遇。隨著AI服務(wù)器對存儲密度要求提升至普通服務(wù)器的3倍，疊加HDD廠商資本開支謹慎導(dǎo)致的供應(yīng)缺口，摩根大通預(yù)計2026財年NAND價格將上漲27%。在資本支出層面，雖然存儲廠商公布了多項擴產(chǎn)計劃，但設(shè)備支出（WFE）增速將顯著領(lǐng)先總體資本開支，2026/2027年DRAM領(lǐng)域設(shè)備投資分別增長19%/26%，且資本密集度維持在DRAM低于30%、NAND低于20%的合理區(qū)間，顯示供應(yīng)端保持戰(zhàn)略克制。

估值模型方面，摩根大通采用"市值/市場規(guī)模（TAM）"框架，結(jié)合2018-2021年周期3.5倍市銷率中值，測算2027年存儲市場規(guī)模將達4200億美元，對應(yīng)頭部企業(yè)合計市值1.5萬億美元。該機構(gòu)明確建議投資者繼續(xù)做多存儲板塊，認為當前行業(yè)正處于"歷史上最長最強的上升周期"，AI算力革命與數(shù)字化轉(zhuǎn)型構(gòu)成的雙重引擎，將持續(xù)推動價值重估進程。