本土DRAM領域領軍企業(yè)長鑫科技近日披露了其上市進程的最新動態(tài)。作為國內規(guī)模最大、技術最為領先且布局最全面的DRAM研發(fā)設計制造一體化企業(yè)，長鑫科技自2016年創(chuàng)立以來，始終深耕DRAM產品的研發(fā)、設計、生產及銷售領域。

長鑫科技采取“跳代研發(fā)”策略，成功實現(xiàn)了從第一代到第四代工藝技術平臺的量產跨越，并完成了從DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的產品迭代升級。目前，其核心產品及工藝技術已躋身國際先進水平行列。公司緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，不斷推進產品迭代，現(xiàn)已構建起DDR系列、LPDDR系列等多元化產品矩陣，提供DRAM晶圓、芯片、模組等多樣化產品方案，充分滿足服務器、移動設備、個人電腦及智能汽車等市場的多元化需求。

長鑫科技在合肥與北京兩地共建有三座12英寸DRAM晶圓廠。據Omdia數(shù)據顯示，以產能和出貨量計算，長鑫科技已躍居中國DRAM市場首位、全球第四。公司高度重視自主技術研發(fā)與創(chuàng)新，在DRAM產品的設計、制造工藝、封裝測試及模組設計與應用等各環(huán)節(jié)均構建了完善的核心技術體系，主要核心技術達到國際先進水平，并積累了豐富的自主知識產權。同時，公司已贏得廣泛優(yōu)質客戶資源，與上下游合作伙伴共同打造了相互依存、共同發(fā)展的產業(yè)生態(tài)。

財務數(shù)據顯示，報告期內長鑫科技主營業(yè)務收入持續(xù)增長，各期分別為808,449.13萬元、906,314.37萬元、2,392,875.14萬元及1,522,375.99萬元。然而，公司尚未實現(xiàn)盈利，各期歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為-832,800.39萬元、-1,633,977.72萬元、-714,488.72萬元和-233,205.82萬元。截至2025年6月30日，累計虧損達-4,085,733.87萬元。公司解釋稱，尚未盈利的主要原因包括DRAM行業(yè)的規(guī)模導向屬性導致的固定資產折舊壓力，以及為追趕國際先進水平而持續(xù)增加的研發(fā)投入。

在募資計劃方面，長鑫科技擬募集295億元資金，用于三大項目的投資。經過多年發(fā)展，公司已形成DDR、LPDDR兩大主流產品系列布局，各系列均能提供當前市場最先進的DDR5、LPDDR5/5X產品，產品性能達到國際先進水平，具備較強的市場競爭力。基于Omdia數(shù)據測算，按2025年第二季度DRAM銷售額統(tǒng)計，公司全球市場占有率為3.97%，位列全球第四、中國第一。

在全球人工智能需求爆發(fā)的推動下，DRAM市場有望迎來快速增長，為長鑫科技業(yè)務持續(xù)擴張?zhí)峁┝藦V闊空間。公司將積極把握市場機遇，緊跟行業(yè)產品技術迭代趨勢，不斷推出性能更強、代際更新的DRAM產品，并探索儲備新型產品，以豐富產品矩陣、提升產品競爭力。

值得注意的是，長鑫科技IPO已進入預先審閱階段，并公布了兩輪預先審閱回復（分別于2025年11月5日和11月19日發(fā)出問詢）。這標志著長鑫科技IPO將成為首單獲受理的預先審閱項目。此前，證監(jiān)會于2025年6月18日發(fā)布《關于在科創(chuàng)板設置科創(chuàng)成長層 增強制度包容性適應性的意見》，首次明確提出試點IPO預先審閱機制。該機制旨在保護信息與技術安全，滿足關鍵核心技術攻關企業(yè)訴求，減少上市“曝光”時間，避免過早披露敏感信息引發(fā)經營與競爭風險，同時壓縮審核周期、提高申報文件質量。長鑫科技目前無控股股東，其第一大股東為合肥清輝集電企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），直接持有公司21.67%股份。