近期，市場傳言三星電子計劃在2025年4月終止生產1z制程的8Gb LPDDR4存儲器，并通知客戶需在同年6月前完成最后訂單，預計最晚于10月前完成出貨。據傳，此舉是因為三星電子計劃將國內手機LPDDR4存儲芯片訂單轉移至本土工廠，以更專注于LPDDR5及以上級別的高端產品。
面對這一市場傳聞，三星電子半導體部門在4月22日中午通過鈦媒體AGI渠道回應稱，公司不對業界傳言進行評論，生產活動正在按計劃有序進行。
根據CFM閃存市場數據顯示，受AI服務器強勁需求的推動，2024年全球DRAM和NAND閃存銷售收入達到了創紀錄的1670億美元，同比大幅增長85.53%。然而，去年第四季度，全球NAND閃存市場規模卻縮減了8.5%，降至174.1億美元。預計2025年，全球存儲市場產值將僅實現2%的微增長。
在DRAM市場方面，2024年市場規模達到了970億美元，容量更是突破了2500億Gb。其中，HBM（高帶寬存儲器）的熱潮成為DRAM市場的一大亮點。CFM閃存市場預計，到2025年，隨著三星、美光、SK海力士等公司HBM4產品的量產，HBM在DRAM產業中的占比將接近30%，市場將達到2880億Gb當量，并且在服務器內存消耗方面，其應用持續增長。
從三星電子的財報來看，2024年該公司實現了300.9萬億韓元（約合1.52萬億元人民幣）的收入，同比增長16%；歸母凈利潤更是飆升至33.6萬億韓元（約合1692.43億元人民幣），同比增長131%。其中，三星的內存業務成為主要增長引擎，銷售額達到84.5萬億韓元，同比增長91%，HBM及DDR5產品的貢獻尤為顯著。
三星電子目前主要聚焦于中高端DRAM存儲和NAND閃存芯片市場。據公開報道，2025年，三星將把HBM3E的產能提升三倍，并將QLC SSD的市場占比目標設定為30%，較2024年的15%有大幅提高。同時，公司計劃減少超過20%的傳統DRAM產能，轉向生產LPDDR5x及HBM等高端產品。
今年1月，HBM4內存已經準備進入4nm試產階段，待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星將提供HBM4樣品進行驗證。
三星電子表示，其強勁表現得益于對存儲芯片的強勁需求，特別是用于AI服務器和固態硬盤（SSD）的存儲芯片。公司表示，“HBM、DDR5等以服務器為中心的產品銷售擴大，同時積極應對生成式AI服務器用高附加值產品的需求，使得業績較上季度大幅改善。”
里昂證券(CLSA)分析認為，數據中心和AI開發的需求推動內存芯片的平均價格較上一季度上漲了15%，這幫助三星最大的部門扭轉了上年同期的虧損局面。美銀預計，三星2025年的HBM3e銷售額預計將達到24億美元，占HBM總銷售額的34%。
