【媒體界】12月26日消息，近日，全球半導體領域的競爭再度升級，來自韓國、中國臺灣和美國的三大芯片制造商，分別是中國臺灣臺積電、韓國三星電子和美國英特爾，紛紛加速推進先進的2nm半導體工藝的研發，為明年的競爭激化埋下伏筆。
據業內最新報道，目前最先進的量產技術仍停留在三星電子和臺積電生產的3nm工藝。盡管三星電子去年6月開始量產3nm工藝，而臺積電則在今年年初開始量產，但由于初始良品率的擔憂和半導體市場的低迷，3nm工藝的市場需求并未達到預期，使得客戶對這些高成本先進工藝的需求減少。
據媒體界了解，雖然臺積電依然在全球代工市場中保持著強勁的份額，從2021年第三季度的53.1%增至2023年同期的57.9%。與之相比，同期三星代工廠的市場份額卻從17.1%降至12.4%。
在這場激烈的競爭中，英特爾和三星都明確表態，更加注重在臺積電之前開發先進工藝，而非立即擴大訂單。它們的戰略是搶占下一個市場，而不是在價格上與行業領導者直接競爭。
特別值得關注的是，英特爾正在積極行動，重新進入代工業務。計劃明年上半年量產20A 2nm級產品，下半年開發1.8nm級產品18A。英特爾去年9月已經推出了18A半導體晶圓的原型，并與荷蘭半導體設備公司ASML簽訂了關鍵的設備合同。近日，ASML宣布將向英特爾交付全球首臺High-NA極紫外(EUV)設備，預計將成為2nm以下工藝的關鍵工具。相較之下，三星的目標是明年開始量產改進后的第二代3nm工藝，并在2025年上半年實現2nm工藝的量產。臺積電則計劃在2025年下半年開始2nm工藝的量產。
這一輪半導體技術的競爭不僅體現了各家企業在技術研發上的不懈努力，也為全球半導體行業帶來了更為激烈的變革與發展。
