高盛亞洲團隊近日發(fā)布的DRAM行業(yè)分析報告指出，當前內(nèi)存市場正經(jīng)歷顯著的價格分化。數(shù)據(jù)顯示，DDR4內(nèi)存現(xiàn)貨價格較合約價已飆升172%，DDR5的現(xiàn)貨與合約價差也達到76%，這種差距直觀反映出合約價與市場供需基本面嚴重脫節(jié)。報告預(yù)測，隨著市場機制調(diào)節(jié)，合約價將迎來大幅補漲。

業(yè)內(nèi)分析認為，現(xiàn)貨市場因其高頻交易特性，能夠更敏銳地反映短期供需變化。此次DDR4與DDR5同步出現(xiàn)巨額價差，核心原因在于合約價調(diào)整滯后于市場實際需求。隨著供需失衡加劇，這種價格背離狀態(tài)難以持續(xù)，合約價補漲已成為行業(yè)共識。

從供應(yīng)端看，DRAM行業(yè)面臨結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能約束。受晶圓廠建設(shè)周期長、投產(chǎn)節(jié)奏慢等因素影響，2026年前行業(yè)新增產(chǎn)能有限，其中DDR4領(lǐng)域還將出現(xiàn)減產(chǎn)，供給收縮趨勢明顯。需求端則呈現(xiàn)強勁增長態(tài)勢，AI基礎(chǔ)設(shè)施迭代加速推動存儲單元從單機服務(wù)器向機架系統(tǒng)擴展，直接拉動了DRAM整體需求，供需缺口持續(xù)擴大。

高盛報告特別提到，下游終端客戶已普遍接受2026年一季度內(nèi)存價格大幅上漲的預(yù)期，這為合約價上調(diào)奠定了市場基礎(chǔ)。價格調(diào)整可能引發(fā)連鎖反應(yīng)，既影響內(nèi)存廠商營收結(jié)構(gòu)，也會推高下游電子設(shè)備制造成本，全行業(yè)需密切關(guān)注這一趨勢演變。