A股存儲(chǔ)行業(yè)迎來重大利好，佰維存儲(chǔ)率先發(fā)布業(yè)績預(yù)增公告，引發(fā)市場(chǎng)廣泛關(guān)注。根據(jù)公告內(nèi)容，該公司預(yù)計(jì)2025年?duì)I業(yè)收入將突破百億元大關(guān)，達(dá)到100億至120億元之間，同比增長幅度高達(dá)49.36%至79.23%。其中，第四季度單季營收表現(xiàn)尤為亮眼，預(yù)計(jì)在34.25億至54.25億元之間，同比增長率超過105%，環(huán)比增長也達(dá)到28.62%至103.73%。

在凈利潤方面，佰維存儲(chǔ)同樣交出了一份令人矚目的成績單。公司預(yù)計(jì)2025年凈利潤將達(dá)到8.5億至10億元，同比增長幅度超過427%。第四季度凈利潤預(yù)計(jì)在8.2億至9.7億元之間，同比增長率高達(dá)1225%至1449%，環(huán)比增長也超過219%。公司扣非凈利潤也預(yù)計(jì)達(dá)到7.6億至9億元，同比增加超過1034%。

對(duì)于業(yè)績大幅增長的原因，佰維存儲(chǔ)解釋稱，盡管全球宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境帶來一定影響，存儲(chǔ)價(jià)格在2024年第三季度開始逐季下滑，并在2025年第一季度達(dá)到階段性低點(diǎn)，導(dǎo)致公司產(chǎn)品銷售價(jià)格降幅較大。但從第二季度開始，隨著存儲(chǔ)價(jià)格企穩(wěn)回升，公司重點(diǎn)項(xiàng)目逐步交付，銷售收入和毛利率逐步回升，經(jīng)營業(yè)績得到顯著改善。特別是在AI新興端側(cè)領(lǐng)域，公司保持了高速增長趨勢(shì)，并持續(xù)強(qiáng)化先進(jìn)封裝能力建設(shè)，晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)制造項(xiàng)目整體進(jìn)展順利，為客戶提供“存儲(chǔ)+晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)”一站式綜合解決方案。

值得注意的是，在凈利預(yù)增公告披露前一天，佰維存儲(chǔ)還披露了大基金減持計(jì)劃。其持股5%以上股東國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司計(jì)劃減持不超過934.26萬股，占公司總股本比例不超過2%。減持原因?yàn)楣咀陨斫?jīng)營管理需要，減持期間為2026年2月4日至2026年5月3日。

與此同時(shí)，全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)正邁入“超級(jí)周期”，產(chǎn)品漲價(jià)幅度有望超預(yù)期。據(jù)佰維存儲(chǔ)在投資者關(guān)系活動(dòng)記錄匯總表中透露，2025年第三季度，閃迪宣布啟動(dòng)年內(nèi)第二次漲價(jià)，長存、美光等存儲(chǔ)企業(yè)也紛紛發(fā)布漲價(jià)函。經(jīng)過上半年的減產(chǎn)與庫存去化，NAND供需失衡情況已明顯改善。行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，NAND Flash價(jià)格在2025年第三季度將上漲3-8%，第四季度繼續(xù)上漲5-10%。DRAM方面，由于三星、美光、海力士等廠商將業(yè)務(wù)中心轉(zhuǎn)向HBM等高端產(chǎn)品，減少DDR4等傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)，導(dǎo)致相關(guān)產(chǎn)品供應(yīng)短缺，價(jià)格上漲。行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，一般型DRAM價(jià)格在2025年第三季度將上漲10-15%，第四季度繼續(xù)上漲8-13%。

全球存儲(chǔ)龍頭廠商SK海力士和三星均受益于內(nèi)存芯片價(jià)格的大幅上漲。近日有消息稱，這兩家廠商已向服務(wù)器、PC及智能手機(jī)用DRAM客戶提出漲價(jià)，今年一季度報(bào)價(jià)將較去年第四季度上漲60%-70%。招商證券最新研報(bào)指出，AI驅(qū)動(dòng)全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)邁入“超級(jí)周期”階段，供需錯(cuò)配帶動(dòng)產(chǎn)品漲價(jià)幅度超預(yù)期。國內(nèi)外存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)推進(jìn)，長鑫、長存IPO節(jié)奏加速，看好上游半導(dǎo)體設(shè)備投資機(jī)會(huì)。

在需求端，AI存儲(chǔ)需求持續(xù)升級(jí)。英偉達(dá)在CES展會(huì)上推出新一代Rubin AI平臺(tái)，其中BlueField-4為推理上下文內(nèi)存存儲(chǔ)平臺(tái)，構(gòu)建了一個(gè)介于GPU高速內(nèi)存和傳統(tǒng)存儲(chǔ)之間、由SSD構(gòu)成的“內(nèi)存層”，以高效經(jīng)濟(jì)地解決海量KV緩存的問題。這一平臺(tái)預(yù)計(jì)將帶動(dòng)NAND需求進(jìn)一步增長。在供給端，供需缺口帶動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲。三星、SK海力士、美光等頭部存儲(chǔ)芯片廠將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端芯片，同時(shí)削減傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能，導(dǎo)致供給收緊和價(jià)格提升。

根據(jù)弗若斯特沙利文資料，在服務(wù)器領(lǐng)域，受大模型熱潮帶來的AI服務(wù)器需求激增推動(dòng)，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將于2029年達(dá)到1458億美元。全球數(shù)據(jù)中心的持續(xù)擴(kuò)張以及模型部署、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理等場(chǎng)景對(duì)AI推理需求的激增，進(jìn)一步成為重要驅(qū)動(dòng)力，持續(xù)刺激高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求，助推整體市場(chǎng)增長。