芯片行業(yè)新一輪漲價潮正在全球蔓延，中微半導(dǎo)與國科微兩大國內(nèi)廠商近日同步宣布調(diào)價，部分產(chǎn)品漲幅最高達80%。此次漲價覆蓋MCU、存儲芯片及封測環(huán)節(jié)，行業(yè)供需失衡局面持續(xù)加劇，AI算力需求成為核心驅(qū)動因素。

中微半導(dǎo)發(fā)布公告稱，即日起對MCU及NorFlash產(chǎn)品線實施15%-50%的價格上浮。公司透露，原材料框架、封測等環(huán)節(jié)成本激增，疊加產(chǎn)能緊張導(dǎo)致的交付周期延長，迫使企業(yè)通過提價傳導(dǎo)壓力。國科微則針對不同容量KGD產(chǎn)品實施階梯式漲價：512Mb產(chǎn)品上調(diào)40%，1Gb產(chǎn)品上調(diào)60%，2Gb產(chǎn)品漲幅達80%，并預(yù)留第二季度根據(jù)成本動態(tài)調(diào)整的空間。

國際存儲巨頭三星電子的調(diào)價動作更具沖擊性。該公司將2026年一季度NAND閃存報價翻倍，DRAM價格此前已上調(diào)近70%，目前正與客戶就二季度NAND價格展開新一輪談判。市場研究機構(gòu)指出，三星的激進策略或?qū)⒁l(fā)行業(yè)連鎖反應(yīng)，主要存儲封測廠商近期報價已上調(diào)最高30%，且不排除短期內(nèi)啟動第二波漲價。

產(chǎn)能擴張與需求增長的賽跑愈發(fā)激烈。美光科技宣布未來十年在新加坡投資240億美元建設(shè)NAND晶圓廠，預(yù)計2028年下半年投產(chǎn)。但業(yè)內(nèi)普遍認為，晶圓廠建設(shè)周期長達3-4年，短期內(nèi)難以緩解供需矛盾。東海證券分析指出，當(dāng)前電子行業(yè)處于需求復(fù)蘇與供給出清的雙重周期，存儲芯片價格上行趨勢具有持續(xù)性。

資本市場已提前反應(yīng)行業(yè)景氣度。神工股份預(yù)計2025年凈利潤同比增長118.71%-167.31%，主要受益于海外AI需求拉動高端邏輯芯片產(chǎn)能，以及國內(nèi)存儲廠商加速國產(chǎn)替代帶來的關(guān)鍵耗材訂單增長。中微半導(dǎo)同期凈利潤預(yù)增107.55%，顯示漲價效應(yīng)正在向產(chǎn)業(yè)鏈中游傳導(dǎo)。

機構(gòu)研究呈現(xiàn)高度一致性看漲預(yù)期。摩根士丹利報告預(yù)測，2025年二季度至2026年存儲行業(yè)將迎來超級周期，DDR4、DDR3及NAND產(chǎn)品供應(yīng)緊張態(tài)勢加劇。Counterpoint Research測算，2025年四季度存儲價格將上漲40%-50%，2026年一季度延續(xù)同等漲幅，二季度仍有20%上行空間。ClearBridge Investments基金經(jīng)理強調(diào)，AI驅(qū)動的存儲需求增長被市場嚴(yán)重低估。

A股半導(dǎo)體板塊迎來結(jié)構(gòu)性機遇。中信建投證券研報指出，AI算力爆發(fā)與供給側(cè)收縮形成共振，存儲產(chǎn)線建設(shè)及國產(chǎn)化率提升進入加速期，半導(dǎo)體設(shè)備、封測等環(huán)節(jié)將深度受益。東海證券建議重點關(guān)注AI算力芯片、半導(dǎo)體設(shè)備及存儲漲價主題，認為當(dāng)前電子行業(yè)估值與基本面形成雙重支撐。