近期，閃存市場(chǎng)迎來新一輪價(jià)格波動(dòng)，部分產(chǎn)品價(jià)格漲幅接近40%。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，1Tb QLC閃存價(jià)格攀升至12.50美元，較此前上漲25%；同規(guī)格TLC產(chǎn)品價(jià)格漲至13美元，漲幅達(dá)23.81%；512Gb TLC產(chǎn)品以38.46%的漲幅領(lǐng)跑，單價(jià)升至9美元；256Gb TLC產(chǎn)品則上漲14.58%至5.50美元。

在小米集團(tuán)近日舉行的業(yè)績(jī)電話會(huì)上，公司總裁盧偉冰針對(duì)存儲(chǔ)成本攀升問題作出回應(yīng)。他指出，本輪內(nèi)存價(jià)格上漲呈現(xiàn)長期化特征，主要驅(qū)動(dòng)力來自AI技術(shù)引發(fā)的HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）需求激增，而非傳統(tǒng)消費(fèi)電子行業(yè)的周期性波動(dòng)。為應(yīng)對(duì)供應(yīng)鏈壓力，小米已與合作伙伴簽訂2026年全年供應(yīng)協(xié)議，并通過產(chǎn)品升級(jí)和價(jià)格調(diào)整策略緩解成本壓力。

作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心組成部分，閃存與DRAM形成互補(bǔ)關(guān)系。前者采用非易失性技術(shù)，斷電后仍可保存數(shù)據(jù)，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦等設(shè)備的存儲(chǔ)模塊；后者作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，主要用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存，但數(shù)據(jù)在斷電后會(huì)丟失。當(dāng)前市場(chǎng)主流的NAND閃存以存儲(chǔ)單元（Cell）為基本單位，根據(jù)每個(gè)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位數(shù)劃分為QLC和TLC兩類技術(shù)路線。

QLC技術(shù)每個(gè)存儲(chǔ)單元可容納4位數(shù)據(jù)，憑借高容量特性成為數(shù)據(jù)中心和固態(tài)硬盤的主流方案；TLC技術(shù)每個(gè)單元存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)，因成本優(yōu)勢(shì)占據(jù)消費(fèi)電子市場(chǎng)主導(dǎo)地位，常見于智能手機(jī)、筆記本電腦的固態(tài)硬盤及U盤等設(shè)備。這兩種技術(shù)共同支撐起全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的供需格局。

本輪價(jià)格異動(dòng)源于供需兩端的雙重?cái)D壓。供給端方面，三星、SK海力士、鎧俠、美光等頭部企業(yè)自今年下半年起集體削減NAND晶圓產(chǎn)量。數(shù)據(jù)顯示，三星三至四季度的投入量同比減少15%，SK海力士降幅達(dá)20%，鎧俠和美光分別下調(diào)12%和18%。與此同時(shí)，為搶占AI存儲(chǔ)市場(chǎng)，多家廠商將傳統(tǒng)TLC產(chǎn)線改造為QLC工藝，進(jìn)一步壓縮常規(guī)NAND產(chǎn)能。

需求端則呈現(xiàn)爆發(fā)式增長態(tài)勢(shì)。隨著AI技術(shù)加速落地，數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)容量的需求激增。單臺(tái)AI服務(wù)器的NAND使用量達(dá)到傳統(tǒng)服務(wù)器的三倍，推動(dòng)大容量固態(tài)硬盤需求飆升。科技企業(yè)為保障業(yè)務(wù)連續(xù)性，紛紛加大NAND配額采購力度，部分供應(yīng)商明年的供貨份額已被提前鎖定，供需失衡直接推高市場(chǎng)價(jià)格。

存儲(chǔ)模組廠商威剛科技董事長陳立白在近期活動(dòng)中坦言，當(dāng)前四大類存儲(chǔ)產(chǎn)品集體出現(xiàn)缺貨漲價(jià)現(xiàn)象，這種情況在其三十余年職業(yè)生涯中實(shí)屬罕見，給行業(yè)運(yùn)營帶來顯著挑戰(zhàn)。