春節(jié)前夕，國內(nèi)存儲市場正經(jīng)歷一輪價格波動。記者走訪深圳華強北電子市場發(fā)現(xiàn)，近期內(nèi)存現(xiàn)貨價格出現(xiàn)小幅回調(diào)，部分DDR4產(chǎn)品較2025年最高點回落10%-20%，但整體仍處于歷史高位。有商戶透露，某型號DDR4內(nèi)存單價仍高達1800元，甚至超過同期黃金價格，盡管較此前峰值已下跌數(shù)十元。

NAND閃存市場呈現(xiàn)更強漲價勢頭。原廠報價較年初翻倍，eMMC嵌入式存儲價格漲幅尤為突出。受此影響，多家電腦廠商已調(diào)整產(chǎn)品定價策略：中低端筆記本價格上調(diào)5%-10%，部分游戲本品牌計劃在節(jié)后實施最高33%的漲價幅度，對應千元級價格上浮。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，存儲部件成本占整機比例已突破30%，成為推動終端漲價的核心因素。

市場研究機構CFM統(tǒng)計表明，2025年全球DRAM/NAND Flash市場規(guī)模首次突破2000億美元，達2215.91億美元（約合1.53萬億元人民幣），同比增長32.7%。這一增長主要受人工智能、數(shù)據(jù)中心等新興領域需求驅動，但供給端產(chǎn)能擴張明顯滯后。三星、SK海力士、美光等國際大廠庫存水平降至近五年低位，正推動定價機制改革，擬將傳統(tǒng)季度議價模式改為動態(tài)市價結算。

產(chǎn)能擴張方面，主要原廠保持謹慎態(tài)度。預計2026年一季度DRAM芯片出貨量增幅將低于5%，NAND芯片增幅維持在5%-10%。多家企業(yè)表示，新建產(chǎn)線需至2027年下半年才能形成有效供給，短期內(nèi)市場供需緊張格局難以根本扭轉。這種預期進一步強化了產(chǎn)業(yè)鏈對價格持續(xù)高位運行的判斷。

國產(chǎn)存儲陣營則呈現(xiàn)加速崛起態(tài)勢。長鑫科技通過持續(xù)擴產(chǎn)，全球DRAM市場份額已升至3.97%，超越美光成為全球第四大廠商。長江存儲在NAND領域表現(xiàn)更為亮眼，其全球出貨量占比在2025年首季突破10%，較2024年第三季度提升3個百分點。據(jù)Omida數(shù)據(jù)，兩家企業(yè)合計占據(jù)中國存儲市場超過25%份額，形成與國際大廠三足鼎立的新格局。

產(chǎn)業(yè)鏈上游設備商率先受益。中微公司披露，其高端刻蝕設備在先進制程中的滲透率顯著提升，帶動2025年凈利潤同比增長28.74%-34.93%。長川科技等測試設備廠商也實現(xiàn)業(yè)績翻倍增長。國際市場方面，《日經(jīng)亞洲》報道稱，惠普、戴爾等品牌已將中國大陸存儲芯片納入供應商體系，這是國際終端廠商首次大規(guī)模采用國產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)品。

分析人士指出，國產(chǎn)存儲的突破不僅改變?nèi)虍a(chǎn)業(yè)格局，更重塑了中國電子產(chǎn)業(yè)的供應鏈安全。隨著長江存儲128層3D NAND、長鑫科技LPDDR5等高端產(chǎn)品量產(chǎn)，國內(nèi)廠商在技術代差上已縮短至1-2年，為后續(xù)市場競爭奠定基礎。不過，要實現(xiàn)真正意義上的國產(chǎn)替代，仍需在產(chǎn)能規(guī)模、良品率等關鍵指標上持續(xù)突破。