據(jù)海外媒體消息，三星電子近日公布了其在研發(fā)與設(shè)施建設(shè)領(lǐng)域的最新投入數(shù)據(jù)。為在下一代人工智能芯片市場占據(jù)先機，該公司去年在這兩大領(lǐng)域的資金支出均呈現(xiàn)增長態(tài)勢。

在研發(fā)方面，三星電子去年投入金額達37.7萬億韓元（約合256億美元），較前一年的35萬億韓元增長7.8%。公司表示，這一投入策略旨在提前應(yīng)對人工智能領(lǐng)域半導(dǎo)體需求的爆發(fā)式增長，重點布局高帶寬存儲器和大容量DDR5等關(guān)鍵技術(shù)。

設(shè)施建設(shè)領(lǐng)域同樣迎來大規(guī)模投資。三星電子披露，去年相關(guān)投入達52.7萬億韓元（約合358億美元），超出原計劃5萬億韓元。這些資金主要用于建設(shè)新一代半導(dǎo)體工廠及研發(fā)基地，為技術(shù)迭代提供硬件支撐。

分析認(rèn)為，三星電子通過雙管齊下的投資策略，既強化了現(xiàn)有技術(shù)儲備，又為未來產(chǎn)能擴張奠定基礎(chǔ)。隨著人工智能應(yīng)用場景持續(xù)拓展，半導(dǎo)體行業(yè)的競爭已從單一產(chǎn)品轉(zhuǎn)向全產(chǎn)業(yè)鏈布局。