【媒體界】12月28日消息，近日，臺積電在2023年的IEDM會議上宣布了一項雄心勃勃的計劃，計劃提供包含1萬億個晶體管的芯片封裝路線，這一計劃與英特爾去年公布的規劃相似。
然而，這1萬億晶體管并非來自于單個芯片封裝，而是由多個3D封裝小芯片集合而成。除了這一宏偉目標，臺積電還致力于開發單個芯片擁有2000億晶體管的技術。
為了實現這一宏偉目標，臺積電再次強調了其正在開發的2nm級N2和N2P生產節點，以及1.4nm級A14和1nm級A10制造工藝，計劃在2030年前完成。
此外，臺積電還預測封裝技術，如CoWoS、InFO、SoIC等，將持續取得進步，使其能夠在2030年左右構建超過1萬億個晶體管的大規模多芯片解決方案。
臺積電還在會議上披露，他們已經全面展開了1.4nm級工藝制程研發，并強調2nm級制程將按計劃于2025年開始量產。這一系列計劃和進展顯示出臺積電在芯片制造領域的強大競爭實力和野心。
