摩根大通最新研究報(bào)告指出，全球頭部存儲(chǔ)芯片制造商的總市值已逼近萬(wàn)億美元大關(guān)，而基于行業(yè)估值模型推算，到2027年這一數(shù)字有望突破1.5萬(wàn)億美元，意味著頭部企業(yè)仍存在顯著增長(zhǎng)空間。該機(jī)構(gòu)強(qiáng)調(diào)，當(dāng)前存儲(chǔ)行業(yè)正經(jīng)歷前所未有的上升周期，其持續(xù)時(shí)間與強(qiáng)度均將創(chuàng)歷史紀(jì)錄。

針對(duì)市場(chǎng)普遍擔(dān)憂(yōu)的2027年DRAM產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題，摩根大通通過(guò)構(gòu)建產(chǎn)能-位元分析模型提出反駁。數(shù)據(jù)顯示，盡管2027年供需缺口可能從2026年的5%收窄至3%，但整體市場(chǎng)仍將維持短缺狀態(tài)。特別值得注意的是，HBM（高帶寬內(nèi)存）對(duì)DRAM產(chǎn)能的擠占效應(yīng)顯著，其占比將從2025年的19%躍升至2027年的28%。受限于潔凈室空間和工藝復(fù)雜度提升，即便三星P4、海力士M15X等新產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)，DRAM位元出貨量年增長(zhǎng)率仍將被壓制在20%以下。

市場(chǎng)定價(jià)機(jī)制呈現(xiàn)明顯分化特征。企業(yè)級(jí)（B2B）市場(chǎng)受AI推理需求驅(qū)動(dòng)，價(jià)格保持強(qiáng)勁態(tài)勢(shì)；消費(fèi)級(jí)（B2C）市場(chǎng)則因終端客戶(hù)價(jià)格敏感度提升，面臨周期性調(diào)整壓力。摩根大通預(yù)測(cè)，2026年下半年至2027年上半年將出現(xiàn)顯著價(jià)格分化：B2B領(lǐng)域在A(yíng)I推理需求支撐下價(jià)格堅(jiān)挺，而B(niǎo)2C領(lǐng)域可能因需求疲軟出現(xiàn)價(jià)格回調(diào)。具體數(shù)據(jù)顯示，2026財(cái)年DRAM平均售價(jià)（ASP）預(yù)計(jì)上漲53%，NAND ASP上漲30%；2027財(cái)年DRAM ASP仍將微漲1%，NAND ASP則可能回落6%。

AI技術(shù)發(fā)展正為存儲(chǔ)行業(yè)創(chuàng)造結(jié)構(gòu)性機(jī)遇。HBM領(lǐng)域受益于GPU與ASIC的路線(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)，需求持續(xù)旺盛。Google下一代2nm TPU計(jì)劃采用HBM4，配合Rubin Pro GPU帶來(lái)的4倍容量增長(zhǎng)，將進(jìn)一步加劇供應(yīng)鏈緊張。摩根大通預(yù)計(jì)HBM供需缺口將貫穿2027年，短缺幅度達(dá)8%-12%，甚至可能延續(xù)至2028年。在企業(yè)級(jí)SSD（eSSD）市場(chǎng)，AI服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)容量的需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的3倍，而HDD廠(chǎng)商2026年資本開(kāi)支謹(jǐn)慎，推動(dòng)eSSD需求激增，預(yù)計(jì)帶動(dòng)2026財(cái)年NAND價(jià)格上漲27%。

盡管主要存儲(chǔ)廠(chǎng)商紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，但摩根大通認(rèn)為實(shí)際位元供應(yīng)增長(zhǎng)將受到物理遷移挑戰(zhàn)的制約。設(shè)備支出方面，2026/2027年DRAM晶圓廠(chǎng)設(shè)備（WFE）投資將分別增長(zhǎng)19%和26%，顯著快于整體資本開(kāi)支增速。值得關(guān)注的是，DRAM資本密集度將維持在30%以下，NAND低于20%，均低于過(guò)去五年平均水平，顯示供應(yīng)端保持理性擴(kuò)張態(tài)勢(shì)。這種可控的資本支出強(qiáng)度，有助于維持市場(chǎng)供需平衡，避免過(guò)度競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致的價(jià)格崩塌。