特斯拉首席執(zhí)行官埃隆·馬斯克近日透露，公司自研AI芯片的迭代計劃已進入關鍵階段。在宣布AI5芯片完成流片后，他詳細闡述了后續(xù)產品的技術路線圖，其中AI6與AI6.5芯片的制造工藝與架構設計成為焦點。

據馬斯克介紹，AI5芯片在算力上實現(xiàn)重大突破，單顆芯片的有效算力達到雙芯AI4方案的5倍。該芯片的內存配置引發(fā)行業(yè)關注——兩側封裝的內存顆粒長寬比例異常，與GDDR系列標準不符，推測采用LPDDR5X規(guī)格。這一設計選擇或與芯片對低功耗、高帶寬的需求密切相關。

下一代AI6芯片將由三星電子位于美國得州泰勒市的晶圓廠代工，采用2nm制程工藝制造。在保持400平方毫米以上芯片面積的前提下，其性能較前代實現(xiàn)翻倍增長，并配備更新的LPDDR6內存。更值得關注的是，AI6.5芯片將轉由臺積電美國亞利桑那州工廠生產，同樣基于2nm工藝，通過架構優(yōu)化進一步推高性能極限。

在芯片架構層面，AI6與AI6.5均采用創(chuàng)新設計：約50%的TRIP AI計算加速器將與SRAM緩存實現(xiàn)緊密耦合。這種布局可顯著減少數(shù)據傳輸延遲，提升內存訪問效率，從而在相同功耗下獲得更高的實際運算性能。行業(yè)分析師指出，這種異構集成方式正成為高性能AI芯片的設計趨勢。