新思科技首席執(zhí)行官蓋思新近日在訪談中指出，全球存儲芯片市場正經(jīng)歷前所未有的供應(yīng)緊張局面，這種態(tài)勢或?qū)⒀永m(xù)至2027年。他分析稱，人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的爆發(fā)式增長導(dǎo)致高端內(nèi)存芯片需求激增，而產(chǎn)能擴張速度難以匹配需求增速，成為制約市場平衡的關(guān)鍵因素。

作為全球領(lǐng)先的電子設(shè)計自動化企業(yè)，新思科技的技術(shù)廣泛應(yīng)用于AI、云計算等前沿領(lǐng)域。蓋思新透露，頭部內(nèi)存廠商生產(chǎn)的芯片中，超過80%被AI數(shù)據(jù)中心消化，導(dǎo)致消費電子、汽車電子等傳統(tǒng)市場面臨嚴重缺貨。這種結(jié)構(gòu)性失衡使得非AI領(lǐng)域的采購商難以獲得足夠配額，部分企業(yè)甚至需要提前18個月下單鎖定產(chǎn)能。

美光科技兩周前發(fā)布的預(yù)測與新思科技不謀而合。該公司全球運營執(zhí)行副總裁Manish Bhatia強調(diào)，AI服務(wù)器對高帶寬存儲器（HBM）的需求呈現(xiàn)指數(shù)級增長，而這類芯片的制造工藝復(fù)雜度遠超傳統(tǒng)DRAM，進一步加劇了供應(yīng)壓力。市場數(shù)據(jù)顯示，2023年第四季度HBM價格同比上漲超過50%，且交貨周期延長至30周以上。

產(chǎn)能擴張滯后是制約供應(yīng)的核心矛盾。蓋思新解釋稱，內(nèi)存芯片行業(yè)具有典型的重資產(chǎn)特征，新建晶圓廠從立項到量產(chǎn)通常需要2-3年周期。盡管三星、SK海力士等廠商已宣布數(shù)十億美元投資計劃，但新增產(chǎn)能預(yù)計要到2026年才能逐步釋放。這種時間差使得本輪供應(yīng)緊張周期可能突破傳統(tǒng)內(nèi)存行業(yè)的4年周期規(guī)律，形成所謂的"超級周期"。

價格傳導(dǎo)效應(yīng)正在顯現(xiàn)。消費電子廠商面臨成本壓力，部分智能手機品牌已考慮將存儲芯片成本轉(zhuǎn)嫁至終端售價。市場研究機構(gòu)TrendForce預(yù)測，2024年主流旗艦手機的存儲配置成本可能上漲15-20%。與此同時，服務(wù)器廠商為確保HBM供應(yīng)，不得不接受廠商的"捆綁銷售"策略，額外采購大量標準型DRAM芯片。

行業(yè)格局迎來深刻變化。新思科技分析指出，內(nèi)存市場正從傳統(tǒng)的周期性波動轉(zhuǎn)向結(jié)構(gòu)性分化，AI相關(guān)產(chǎn)品將長期維持供不應(yīng)求狀態(tài)，而傳統(tǒng)市場則可能面臨產(chǎn)能過剩風險。這種分化正在重塑產(chǎn)業(yè)鏈價值分配，擁有先進制程和HBM技術(shù)的廠商將占據(jù)更大市場份額，技術(shù)迭代速度成為決定企業(yè)命運的關(guān)鍵因素。