全球存儲芯片市場近期迎來新一輪價格波動，DRAM與NAND兩大主流產品價格同步攀升，但后續(xù)走勢呈現分化態(tài)勢。據行業(yè)監(jiān)測數據顯示，2月份通用型DRAM產品均價突破13美元關口，創(chuàng)下2016年6月以來的歷史峰值，而NAND閃存價格單月漲幅超過33%，延續(xù)了長達14個月的上漲周期。
DRAM市場在經歷連續(xù)11個月的上漲后，價格漲幅出現明顯放緩跡象。以PC端主流產品DDR4 8Gb為例，其2月平均固定交易價較上月上漲13.04%至13美元，但行業(yè)分析機構TrendForce指出，今年第一季度該品類價格環(huán)比漲幅達110%-115%，遠超去年第四季度38%-43%的增速。市場供需雙方已就當前價位達成平衡，主要供應商與PC制造商在2月完成季度價格談判后，預計3月價格將維持現有水平。
NAND閃存市場則延續(xù)強勁上漲勢頭。用于存儲卡和USB設備的128Gb MLC產品2月均價躍升至12.67美元，較上月暴漲33.91%。供應鏈調整成為主要推手，隨著廠商將產能向高密度3D NAND產品傾斜，傳統(tǒng)SLC和MLC工藝產品的供應缺口持續(xù)擴大。這種結構性短缺預計將支撐NAND價格在下半年保持對賣方有利的態(tài)勢。
驅動本輪存儲芯片漲價的核心因素，在于人工智能技術爆發(fā)引發(fā)的產業(yè)格局重構。全球主要芯片制造商紛紛將資源向高附加值領域集中，導致通用型存儲產品產能受限。這種戰(zhàn)略調整在DRAM市場已顯現成效，價格漲勢趨于平緩；而NAND市場因技術迭代周期較長，供應緊張局面短期內難以緩解，為價格持續(xù)上行提供支撐。
